Влияние температуры на выходные характеристики БТ в схеме включения с общим эмиттером

На рис. 60 приведены выходные характеристики транзистора в схеме включения с общим эмиттером для двух токов базы (/Б j = —/к0; /Б2= 0), снятые при двух различных температурах окружающей среды, а на рис. 61 представлены выходные характеристики при токах базы больше нуля, снятые для двух значений температуры окружающей среды.

Влияние температуры на выходные характеристики при /, и /

Рис. 60. Влияние температуры на выходные характеристики при /б, и /б2

Влияние температуры на выходные характеристики при / и /

Рис. 61. Влияние температуры на выходные характеристики при /б3 и /б4

При токе базы /Б, = -/ко (зависимость 1, рис. 60) с ростом температуры неуправляемый ток коллекторного перехода возрастает по экспоненциальному закону (то есть приблизительно удваивается при увеличении температуры окружающей среды на каждые 10 °С).

При токе базы /Б2 = 0 ток коллектора определяется сквозным током транзистора /к= /ко* = (|3+1)/ко Влияние температуры проявляется в увеличении /ко и |3.

При токах базы /Б2>0 (зависимость 1, 2, рис. 61) ток коллектора определяется уравнением/К=|3/Б+ (|3+1)/ко Выходные характеристики в схеме включения с ОЭ снимаются при фиксированных значениях тока базы /Б = (1 - а)/э - /ко. С увеличением температуры экспоненциально увеличивается ток /ко, а также несколько увеличивается коэффициент а, а следовательно, и (3. Последнее обстоятельство приводит к тому, что с увеличением температуры увеличивается наклон выходных характеристик.

Для поддержания тока базы постоянным приходится существенно увеличивать ток /э, естественно, что при этом будет возрастать и ток коллектора /к = а /э + /ко.

Таким образом, выходные характеристики в схеме включения с общим эмиттером не термостабильны. Следует отметить, что транзисторы, выполненные на основе кремния, имеют меньшую зависимость характеристик от температуры, так как значение неуправляемого тока коллекторного перехода /к0 у кремниевых транзисторов во много раз меньше, чем у германиевых.

Влияние режима работы биполярного транзистора и температуры окружающей среды на коэффициент передачи по току в схеме включения с ОЭ

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ   ОРИГИНАЛ   След >