
Электроника
ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДАХПонятие и образование электронно-дырочного переходаЭнергетическая диаграммар-я-перехода в равновесном состоянииНеравновесное состояние /?-я-переходаПрямосмещенный р-я-переходОбратносмещенный /?-я-переходВольтамперная характеристика реального р-п-переходаОбратная ветвь ВАХ реального /?-я-переходаЛабораторное задание № 1 «Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов»Контрольные вопросыВИДЫ ПРОБОЕВ Р-7У-ПЕРЕХОДАОбщая характеристика пробоя р-я-переходаТепловой пробой/7-я-переходаПолевой пробойЛавинный пробойПараметры стабилитроновПараметрический стабилизатор напряженияЛабораторное задание № 2 «Исследование характеристик и параметров стабилитронов»Контрольные вопросыФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДАХ С ТУННЕЛЬНЫМ ЭФФЕКТОМПонятие и особенности электронно-дырочных переходов с туннельным эффектомВольтамперная характеристика идеального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектомВольтамперная характеристика реального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектомВлияние температуры окружающей среды на ВАХ реального туннельного диодаПараметры электронно-дырочного перехода с туннельным эффектомИспользование туннельного диода в качестве усилителяЛабораторное задание № 3 «Исследование характеристик и параметров туннельных диодов»Контрольные вопросыУСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВОпределение и классификация транзисторовУстройство биполярного транзистораФизические основы работы биполярного транзистораСтатические характеристики биполярного транзистораВходные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общей базойСемейство выходных характеристикН-параметры биполярного транзистора в схеме включения с общей базойЭквивалентные Т-образные схемы биполярного транзистора в схеме включения с общей базойТ-образная эквивалентная схема транзистора на низких частотахТ-образная эквивалентная схема транзистора на высоких частотахЛабораторное задание № 4 «Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общей базой»Связь между токами биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттеромВходные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттеромВыходные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттеромВлияние температуры на выходные характеристики БТ в схеме включения с общим эмиттеромВлияние режима работы биполярного транзистора и температуры окружающей среды на коэффициент передачи по току в схеме включения с ОЭЗависимость коэффициента передачи по току от напряжения на коллектореЗависимость коэффициента передачи по току от тока коллектораЗависимость коэффициента передачи по току от температуры окружающей средыСистема Н-параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттеромЛабораторное задание № 5 «Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером»Контрольные вопросыПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С УПРАВЛЯЮЩИМ Р-А-ПЕРЕХОДОМУстройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим /7-д-переходомВыходные характеристики полевого транзистора с управляющим р-п-переходомСток-затворные характеристики полевого транзистора с управляющим р-п-переходомВлияние температуры на сток-затворную характеристику полевого транзистора с управляющим/7-я-переходомПараметры полевых транзисторов с управляющим р-«-переходомЭквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим р-п-переходомЛабораторное задание № 6 «Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом»Контрольные вопросыБИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКПРИЛОЖЕНИЯ